擴散爐應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規模集成電路制造等領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
可配工藝管外徑:4~8英寸
可配工藝管數量:1~4管/臺
恒溫區長度:300~1250mm
控溫精度:800~1300℃±0.5℃
工作溫度范圍:400~1300℃
單點溫度穩定性:800~1300℃ ±0.5℃/24h
最大可控升溫速度:15℃/min
最大降溫速度:5℃/min
賽瑞達可以根據用戶要求定制擴散爐設備。