設備特點
◆ 硅片尺寸:166-230mm
◆ 設計產能:>7500片/小時
◆ 單管裝載量: 1600-2000pcs
◆ 恒溫區精度: ≤±0.5℃
◆ 恒溫區長度: ≥2200mm
◆ 隧穿氧化層厚度: 1~3nm,
◆ 氧化層均勻性:≤10%(片內),≤10%(片間), ≤5%(批間)
◆ 本征非晶硅厚度:100-250nm;
◆ 沉積速率: 4 - 14 nm/min ,
◆ 均勻性: ≤3%@150nm
◆ 鈍化效果:J0<3fA/cm2,i-VOC>740mv
◆ 獨特工藝設計,爐管采用雙層管結構;